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苹果的A17 Pro是全球首款3nm手机芯片,由台积电制造,也代表了全球最先进水平。

问题是:3nm到底指的是什么? 晶体管尺寸? 门宽? 半步金属? 事实上,情况并非如此。 3nm只是一个术语。

事实上,在早期,也就是130nm工艺之前,芯片工艺与芯片晶体管的栅极长度是一致的。 栅极长度是多少,那么芯片是什么工艺的,那就是栅极长度。 ,也等于金属半步。

后来晶圆厂想到了一个办法。 由于栅极的长度代表了芯片的工艺,因此需要找到缩短该长度的方法。 难道流程就不能改进吗?

如上图所示,2007年的130nm到28nm之间,栅极长度实际上比芯片工艺要小,与现在的时间不符。

例如,对于100nm的芯片,栅极长度通常为100nm,但实际上当时已缩短至70nm左右。

进入28nm之后,由于栅长的原因,相应的工艺基本上是不可能的,因为减小栅长是非常困难的。

所以从28纳米开始,所谓的XX纳米是等效工艺,也就是说,它并不是指芯片的一些关键指标,比如网格长度、金属半节距、间距等接触网格等。 该过程与这些无关。

完全是大晶圆厂按照自己的节奏代代命名自己的工艺。 即便是台积电的10nm、三星的10nm、英特尔的10nm,指标也不同,晶体管密度也不同。

但是,混乱就是混乱。 我们总是可以使用之前的栅极长度或金属半间距来检查实际工艺。

台积电此前发布了一份文件,展示了其工艺对应的金属半节距。 如上图所示,7 nm 时约为 54/2 = 27 nm。 在3 nm处,相应的金属半节距为。 45nm /2 = 约22.5nm

2024年新澳版资料正版图库_ ASML揭秘:3nm芯片其实是23nm,1nm芯片是18nm?

近日,ASML在公布EUV光刻机路线图时,甚至还透露了各大晶圆厂的历史。 ASML的PPT明确强调了主要晶圆制造工艺及其对应的金属半节距,如果我们按照原来的芯片工艺,这个。 才是真正的芯片工艺。

如上图所示,N3对应23nm,N2对应22nm,A14对应21nm。

当 A10 为 1 nm 时,相当于 18 nm。 当A7为0.7nm时,这对应于18-16nm。 即使A2为0.2nm,实际金属半间距为16-12nm。

这也是为什么EUV光刻机明明使用13.5nm波长的光,却有可能烧毁2nm、1nm芯片的原因,因为它实际上对应的是金属的这半步,只要波长比这小一点。

不管怎样,即使大家都知道现在的芯片工艺是水性的,所以大家也都这么做,规则是垄断者制定的,所以别人说是3nm那就是3nm,你只能接受它。